Jan had een eindtrap ontworpen op basis van een MRF151G. Dit is een N–Channel Enhancement–Mode MOSFET. Specificaties: 300Watt W, 50 Volt, 175 MHz.
Ik heb dit ontwerp nagebouwd met een andere power FET, de BLV38. Specificaties: 275Watt, 35 Volt, 225 MHz.
Het doel was om twee van deze trappen parallel te bouwen en via een combiner de eindtrappen te koppelen. Dit werkte, echter is 35 V ook een 'onhandige' spanning voor mobiel gebruik. Voordeel is dat de gain bij hogere spanningen beter is.
